[发明专利]一种发光二极管芯片的制作方法

摘要

本发明提供了一种发光二极管芯片的制作方法，首先，生长外延结构之前在衬底表面形成沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；然后，通过生长的方法在生长岛形成侧壁倾斜的外延结构；最后，形成了若干发光二极管芯片。该方法不需要后期进行划片，可以减少掩膜的使用以及避免在划片过程中对外延结构的损伤，且本方法也不需要在后期对外延结构进行腐蚀工艺或者激光工艺等处理形成倾斜侧壁，节约了制作工序，降低了生产成本、提高了生产效率，并且该倾斜侧壁是自然形成，能够免除刻蚀工艺或者激光切割工艺对外延结构的影响，进一步提高出光效率。

主权项

一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一衬底；在衬底表面通过蚀刻或者激光划片工艺形成若干沟道，所述沟道把衬底表面分割成表面积与最终芯片大小基本一致的若干生长岛；步骤二、控制外延的横向生长速率与纵向生长速率比例，在所述生长岛上形成侧壁倾斜的外延结构，所述外延结构包括形成于所述生长岛上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；步骤三、在所述第一半导体层和第二半导体层上分别形成第一电极和第二电极；步骤四、在衬底的另一面进行减薄处理，减薄到预设厚度；步骤五、依照所述沟道进行崩裂，形成发光二极管芯片。