[发明专利]在基板上形成减反射膜的方法、太阳能电池片及制备方法有效
| 申请号： | 201010616540.4 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569497A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 白志民 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了在基板上形成减反射膜的方法，太阳能电池片及其制备方法，所述在基板上形成减反射膜的方法包括以下步骤：1)在晶硅基板的正面上形成第一减反射膜；和2)在所述晶硅基板的背面上形成第二减反射膜，其中所述第一减反射膜与所述第二减反射膜均是对所述晶硅基板产生压应力的压应力膜或均是对所述晶硅基板产生张应力的张应力膜。根据本发明实施例的减反射膜的制备方法，由于在晶硅基板的正面和背面分别形成第一减反射膜和第二减反射膜，且第一减反射膜与第二减反射膜对所述晶硅基板均产生压应力或均产生张应力，因此可以通过应力的相互抵消而有效改善应力状态。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 形成 减反射膜 方法 太阳能电池 制备 | ||
【主权项】：
一种在基板上形成减反射膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在晶硅基板的正面上形成第一减反射膜；和2)在所述晶硅基板的背面上形成第二减反射膜，其中所述第一减反射膜与所述第二减反射膜均是对所述晶硅基板产生压应力的压应力膜或均是对所述晶硅基板产生张应力的张应力膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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