[发明专利]相变存储器形成方法有效
| 申请号： | 201010616680.1 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102544360A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种相变存储器形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口中填满GST材料，所述GST材料还覆盖所述介质层的表面；采用酸性溶液或者碱性溶液对GST材料进行预处理；对预处理后GST材料进行研磨，直至暴露所述介质层，形成相变层；采用酸性溶液或者碱性溶液对再处理后相变层进行再处理；在所述相变层表面形成电极层。利用本发明所提供的相变存储器形成方法可以降低工艺难度，提高效率，还可以提高相变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口中填满GST材料，所述GST材料还覆盖所述介质层的表面；采用酸性溶液或者碱性溶液对GST材料进行预处理；对预处理后的GST材料进行研磨，直至暴露所述介质层，形成相变层；在相变层表面形成电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010616680.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大型双曲率天线及其制造方法
- 下一篇：栅极氧化层的形成方法
