[发明专利]半绝缘碳化硅单晶有效
| 申请号： | 201010617348.7 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102560671A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王刚;刘宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L29/24;H01L29/38;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单晶室温电阻率大于1×105Ω·cm，电学性能及晶体质量满足相应微波器件制备要求。该单晶通过深能级掺杂剂和本征点缺陷共同作用来补偿浅能级杂质，以获得高质量的半绝缘单晶；该单晶经过高温1800℃退火后，电阻率没有明显降低，保持大于1×105Ω·cm。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 碳化硅 | ||
【主权项】：
一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主杂质和本底浅受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于本底浅施主杂质和本底浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。
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