[发明专利]集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺有效
| 申请号： | 201010617576.4 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102148326A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 钱正洪 | 申请（专利权）人： | 钱正洪 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 戴晓翔 |
| 地址： | 马萨*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺。该耦合器件上自下而上依次为：信号处理电路、第一绝缘介质层、磁敏电桥、绝缘隔离层、信号输入线圈、软磁屏蔽层，磁敏电桥和信号处理电路均与信号输入线圈在电气上是完全隔离。其制造工艺：在制备磁敏电桥；制作绝缘隔离层、开口；沉积金属层，刻蚀形成连接线；以光刻胶为模板通过电镀工艺形成铜柱；再制作信号输入线圈；再在信号输入线圈上面加制一层软磁屏蔽层，再沉淀隔离绝缘层。本发明具有的突出的实质性特点：设有双层结构的信号输入线圈，使输入信号电流焊接盘安排在线圈之外，从而有利于芯片整体排版和缩小芯片尺寸，单位电流通过双层线圈时能够产生更强的磁场信号。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 磁电 信号 隔离 耦合 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
集成磁电子信号隔离耦合器件，其特征在于包括信号输入线圈（6）、与信号输入线圈（6）隔离的磁敏电桥（3），与磁敏电桥（3）信号连接的信号处理电路（2），上述三者集成在同一管芯上，自下而上依次为：信号处理电路（2）、第一绝缘介质层（4）、磁敏电桥（3）、绝缘隔离层（5）、信号输入线圈（6）、软磁屏蔽层（7），所述的磁敏电桥（3）和信号处理电路（2）均与信号输入线圈（6）在电气上是完全隔离的。
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