[发明专利]一种利用两次膜层沉积和干湿法相结合制备半圆柱形微细沟槽的方法无效
| 申请号： | 201010617707.9 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102153046A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘玲;罗先刚;王长涛;刘凯鹏;冯沁;方亮;邢卉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;贾玉忠 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种利用两次膜层沉积，干法刻蚀、湿法腐蚀相结合的方法制备半圆柱形微细沟槽方法。其主要步骤为：在石英衬底上制备具有纳米狭缝结构的掩蔽膜层；通过狭缝，使用氢氟酸缓冲液对石英衬底进行各向同性腐蚀，得到半圆柱形微细沟槽。该方法不需要电子束、离子束等昂贵的设备就可制备得到宽度范围在100纳米到500纳米的狭缝，通过控制湿法腐蚀的条件得到直径宽度范围为500纳米到2.5微米，深度范围为250纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 两次 沉积 干湿 法相 结合 制备 半圆 微细 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
一种利用两次膜层沉积，干法刻蚀和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法，其特征步骤如下：(1)采用磁控溅射技术或蒸镀技术在石英衬底上沉积膜层，在所述膜层上涂布光刻胶，石英衬底的厚度为200～2000微米，膜层的厚度为20～300纳米，光刻胶的厚度为100～2000纳米；(2)采用光刻技术在光刻胶上制备周期为20微米以上，宽度为10微米及以上的图形结构；(3)利用所述步骤(2)制作的光刻胶图形作掩蔽，干法刻蚀各向异性，湿法腐蚀各向同性的特点，先利用干法刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的膜层，再使用腐蚀液侧向腐蚀掉光刻胶图形边缘下方的膜层，形成宽度在100～500纳米的空气间隙；(4)在所述步骤(3)后得到的结构表面再次沉积相同材料的膜层，去除光刻胶后得到对应于空气间隙宽度的膜层狭缝；(5)以所述步骤(1)和所述步骤(4)沉积的膜层为掩蔽，通过膜层狭缝，以衬底腐蚀液对衬底进行各向同性腐蚀，得到直径宽度范围为500纳米到2.5微米，深度范围为250纳米到1.25微米的半圆柱形微细沟槽。
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