[发明专利]薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器无效
| 申请号： | 201010617914.4 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102142463A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李基隆 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/77;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)的多晶硅层，包括：有源沟道区，其中，有源沟道区的长度为晶粒尺寸的整数倍。本发明还提供一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 多晶 及其 显示器 | ||
【主权项】：
一种具有多个TFT的显示器，包括：具有多晶硅层的TFT，且该多晶硅层带有有源沟道区，该有源沟道区具有与其相关的至少一个主晶界，使得遍及显示器中，带相同数量有源沟道区的主晶界相比于显示器的其它多个TFT占据支配地位；其中，TFT通过调整晶粒尺寸、晶界倾角和有源沟道区尺寸等参数来制造。
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