[发明专利]MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201010618284.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102544098A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括依次位于所述半导体衬底上的栅介质层和栅电极；源区和漏区，位于所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中；牺牲金属侧墙，位于所述栅堆叠结构的侧壁，且具有张应力或压应力。本发明有利于降低等效氧化层厚度，增强器件一致性，提高载流子迁移率，增强器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括依次位于所述半导体衬底上的栅介质层和栅电极；源区和漏区，位于所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中；其特征在于，还包括：牺牲金属侧墙，位于所述栅堆叠结构的侧壁，且具有张应力或压应力。
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