[发明专利]一种改善太阳能电池表面扩散的方法有效
申请号: | 201010618577.0 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102130211A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;李帅 | 申请(专利权)人: | 上海联孚新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 201201 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种改善太阳能电池表面扩散的方法,包括以下步骤:a:在750~850℃下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成的氧化层硅片进行磷扩散;d:将步骤c中扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理;e:将步骤d处理后的硅片在750-850℃下,通入Ar气,进行退火处理。本发明通过在扩散工艺中引入Ar气对硅片进行退火处理,使硅片表面扩散均匀,提高太阳能电池的转换效率。与传统的扩散工艺相比,不改变原有扩散设备,只是改变了工艺,可控性强,可重复性强。同时,引入Ar气之后可以有效改善材料性能,在提高PN结连续性,工艺稳定性、重复性及生产适用性上都有所提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 太阳能电池 表面 扩散 方法 | ||
【主权项】:
一种改善太阳能电池表面扩散的方法,其特征在于:包括以下步骤:a:在750~850℃温度下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理后的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成氧化层的硅片进行磷扩散;d:将步骤c中磷扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理;e: 将步骤d中处理后的硅片在750‑850℃温度下,通入Ar气,进行退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联孚新能源科技有限公司,未经上海联孚新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010618577.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的