[发明专利]一种改善太阳能电池表面扩散的方法有效

专利信息
申请号: 201010618577.0 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102130211A 公开(公告)日: 2011-07-20
发明(设计)人: 苏青峰;赖建明;张根发;罗军;王长君;李帅 申请(专利权)人: 上海联孚新能源科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 郭桂峰
地址: 201201 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种改善太阳能电池表面扩散的方法,包括以下步骤:a:在750~850℃下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成的氧化层硅片进行磷扩散;d:将步骤c中扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理;e:将步骤d处理后的硅片在750-850℃下,通入Ar气,进行退火处理。本发明通过在扩散工艺中引入Ar气对硅片进行退火处理,使硅片表面扩散均匀,提高太阳能电池的转换效率。与传统的扩散工艺相比,不改变原有扩散设备,只是改变了工艺,可控性强,可重复性强。同时,引入Ar气之后可以有效改善材料性能,在提高PN结连续性,工艺稳定性、重复性及生产适用性上都有所提高。
搜索关键词: 一种 改善 太阳能电池 表面 扩散 方法
【主权项】:
一种改善太阳能电池表面扩散的方法,其特征在于:包括以下步骤:a:在750~850℃温度下,通入Ar气,对P型单晶硅片退火处理;b:将步骤a中退火处理后的硅片氧化处理;c:将步骤b中生成氧化层的硅片进行磷扩散;d:将步骤c中磷扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行处理;e: 将步骤d中处理后的硅片在750‑850℃温度下,通入Ar气,进行退火处理。
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