[发明专利]改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路

摘要

本发明提供一种改进型带隙基准电压源及带隙基准电压产生电路，该带隙基准电压产生电路包含：改进型带隙基准电压源和级联的电流镜像电路，本发明带隙基准电压产生电路通过级联的电流镜像电路将电流反馈至该改进型带隙基准电压源的正向电源输入端，同时本发明改进型带隙基准电压源通过在电源端与传统的带隙基准电压源之间增加一P型MOSFET，使得电源输入端的阻抗近似为该MOSFET的跨导倒数，从而提高了电源的电源抑制比，并且本发明改进型带隙基准电压源在传统带隙基准电压源基础上增加了两个电阻，使得差分电路的两组对称管互相之间的漏端电压更接近，同时使得电流更匹配。

主权项

一种改进型带隙基准电压源，包含栅极相连的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管、栅极互连的第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管及第五PMOS晶体管、栅漏短接用作二极管之用的三个双极型晶体管Q1和Q2及Q3以及第一电阻与第二电阻，其特征在于：该改进型带隙基准电压源还包括一第十五PMOS晶体管，该第十五PMOS晶体管源极与该第三PMOS晶体管源极、该第四PMOS晶体管源极以及该第五PMOS晶体管源极共同接至等效电源电压，栅极接至该第一NMOS晶体管漏极，漏极与该三个双极性晶体管的栅漏端共同接地，该第十五PMOS晶体管用于提高该等效电源电压的阻抗。