[发明专利]硅纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201010618787.X | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102086024A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;王全 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：在单晶体硅衬底上沉积第一二氧化硅层；光刻定义硅纳米线的宽度，刻蚀第一二氧化硅层，以刻蚀剩余的第一二氧化硅层为掩膜刻蚀单晶体硅衬底形成硅纳米线条；沉积第二二氧化硅层和氮化硅层；刻蚀氮化硅层，使刻蚀剩余的氮化硅层形成硅纳米线条的侧墙；刻蚀第二二氧化硅层直至硅纳米线条的底部暴露；去除硅纳米线条的氮化硅侧墙；刻蚀硅纳米线条底部暴露的硅，使得硅纳米线条的底部被镂空形成悬空的硅纳米线；去除硅纳米线四周剩余的第一、第二二氧化硅层。本发明的硅纳米线的制备方法能够在单晶体硅衬底上自顶向下制备硅纳米线，可以降低制造成本，与传统集成电路加工工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在单晶体硅衬底上沉积第一二氧化硅层；光刻定义硅纳米线的宽度，刻蚀所述第一二氧化硅层，以刻蚀剩余的第一二氧化硅层为掩膜刻蚀所述单晶体硅衬底，所述单晶体硅衬底上所述第一二氧化硅层覆盖的区域形成硅纳米线条；沉积第二二氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，使刻蚀剩余的氮化硅层形成所述硅纳米线条的侧墙；刻蚀所述第二二氧化硅层直至所述硅纳米线条的底部暴露，所述硅纳米线条的顶部和所述氮化硅侧墙之间的第二二氧化硅层保留；去除所述硅纳米线条的氮化硅侧墙；刻蚀所述硅纳米线条底部暴露的硅，使得所述硅纳米线条的底部被镂空，所述硅纳米线条形成悬空的硅纳米线；去除所述硅纳米线四周剩余的所述第一、第二二氧化硅层。
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