[发明专利]硅片吸附机构及其使用方法有效
| 申请号： | 201010619060.3 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569147A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 唐彩红;王帆 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅片吸附机构，包括多个真空出口，其特征在于，每个真空出口连接两路通道，分别为真空正压通道与真空负压通道，所述通道中放置一开关，用以控制所述真空出口通负压或正压。本发明同时还公开一种使用该硅片吸附机构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 吸附 机构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种硅片吸附机构，包括多个真空出口，其特征在于，每个真空出口连接两路通道，分别为真空正压通道与真空负压通道，所述通道中放置一开关，用以控制所述真空出口通负压或正压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
