[发明专利]参考电压产生电路有效
| 申请号： | 201010619480.1 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102063148A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 任铮;胡少坚;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/02 | 分类号： | G05F3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种参考电压产生电路，包含：第一级基准电压产生电路、超级源跟随器以及一第三NMOS晶体管，其中，该第一级基准电压产生模块用于隔离其输出的第一级参考电压与带隙基准电压，该超级源跟随器用于降低其输出的参考电压的输出阻抗，提高电源抑制比，该第三NMOS晶体管与该超级源跟随器的第四NMOS晶体管组成镜像恒流源以为超级源跟随器提供恒定电流，本发明通过将超级源跟随器引入到参考电压产生电路中，有效降低了电压源的输出阻抗，同时提高了其所产生的参考电压对电压源的电源抑制比，从而能够提供精准、噪声小、不受负载影响的参考电压。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种参考电压产生电路，至少包括：第一级基准电压产生模块，输入端连接一带隙基准电压源以接收带隙基准电压，输出端输出第一级参考电压，该第一级基准电压产生模块用于隔离该第一级参考电压与该带隙基准电压，其通过第一电流源连接至电源电压；超级源跟随器，用于降低其输出的参考电压的输出阻抗，提高电源抑制比，其至少包含一第五NMOS晶体管以及漏极相接的第一PMOS晶体管与第四NMOS晶体管，该第一PMOS晶体管栅极与该第一级基准电压产生模块连接以接收该第一级参考电压，其源极与该第五NMOS晶体管漏极相连以输出该参考电压，同时该第一PMOS晶体管源极通过第二电流源连接至该电源电压，其漏极还与该第五NMOS晶体管栅极相连，该第四NMOS晶体管源极与该第五NMOS晶体管的源极同时接地；以及第三NMOS晶体管，连接于该第一级基准电压产生模块，以与该第一级基准电压产生模块复用该第一电流源，用于与该第四NMOS晶体管组成镜像恒流源，为该第一PMOS晶体管提供恒定电流。
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