[发明专利]用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201010619496.2 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102134698A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 彭程;吴良才;饶峰;宋志棠;刘波;周夕淋;朱敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中三种元素的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。由于铝、锑、碲三种元素之间可以两两成键，因而可调性非常强，使得其在相当大的范围内都具有相变特性。适当调节 |
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| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 al sb te 系列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Al‑Sb‑Te系列相变材料，其特征在于：该材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物。
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