[发明专利]半导体装置及其组装方法无效
| 申请号： | 201010619641.7 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102569235A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 林育民;詹朝杰;陆苏财 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L23/34;H01L23/00;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其组装方法。半导体装置包括一芯片、一承载装置、多个第一导电块以及多个第二导电块。芯片具有多个第一接垫。承载装置具有多个第二接垫。第二接垫对应于第一接垫。多个第一导电块分别配置于第一接垫其中之一与第二接垫其中之一之间。多个第二导电块分别配置于第一接垫其中之一与第二接垫其中之一之间。第二导电块的金属间化合物的成分比例大于第一导电块的金属间化合物的成分比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 组装 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一芯片，具有多个第一接垫；承载装置，具有多个第二接垫，使该些第二接垫对应于该些第一接垫；多个第一导电块，分别配置于该些第一接垫其中之一与该些第二接垫其中之一之间；以及多个第二导电块，分别配置于该些第一接垫其中之一与该些第二接垫其中之一之间，其中该些第二导电块的金属间化合物的成分比例大于该些第一导电块的金属间化合物的成分比例。
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