[发明专利]检测MOCVD反应系统情况的方法有效
| 申请号： | 201010619752.8 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102539092A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;李志超;欧阳东;蒋剑勇;林保璋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/40 | 分类号： | G01M3/40;G01P13/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测MOCVD反应系统情况的方法，该方法通过在制备有氧化物的半导体衬底上先制备金属钛膜，再将制备有金属钛膜的半导体衬底传送至MOCVD反应腔内，同时关闭MOCVD反应系统的加速泵及第二阀门，开启初始泵及第一阀门，并在高温情况下将所述半导体衬底在MOCVD反应腔内保持第一时间，之后再利用MOCVD法在所述金属钛膜上制备氮化钛膜，通过测量氮化钛膜与金属钛膜组合结构的薄膜电阻，并与标准电阻范围进行比较，从而判断MOCVD反应系统是否存在漏气及气体倒流情况，该方法简单方便，并可全面检测MOCVD反应系统的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 mocvd 反应 系统 情况 方法 | ||
【主权项】：
一种检测MOCVD反应系统情况的方法，用于检测MOCVD反应系统的漏气情况及气体倒流情况，其中，所述MOCVD反应系统包括MOCVD反应腔、与所述MOCVD反应腔相连的初始泵以及加速泵，所述MOCVD反应腔与所述初始泵之间设置有第一阀门，所述MOCVD反应腔与所述加速泵之间设置有第二阀门，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底，其中，所述半导体衬底上已制备氧化层；在所述氧化层上制备金属钛膜；将所述制备有金属钛膜的半导体衬底传送至MOCVD反应腔，其中，所述MOCVD反应腔处于高真空状态，所述第二阀门打开，所述加速泵工作，所述MOCVD反应腔的温度为第一温度；关闭所述加速泵及所述第二阀门，打开所述第一阀门及所述初始泵，保持第一时间；利用MOCVD法在所述金属钛膜上制备氮化钛膜；测量所述氮化钛膜与所述金属钛膜组合结构的薄膜电阻；判断所述薄膜电阻是否超出一标准电阻范围，若超出，则MOCVD反应系统漏气或存在气体倒流情况；若未超出，则MOCVD反应系统正常。
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