[发明专利]一种减少金属流电腐蚀的方法无效
| 申请号： | 201010619942.X | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569021A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王胜利;彭洪修;刘兵;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减少金属流电腐蚀的方法。此方法包括在使用含氟的清洗剂清洗完刻蚀残余后，在槽式清洗机的去离子水槽中鼓入二氧化碳气体，然后进行清洗剂的漂洗。本发明的方法可有效减少铝金属层刻蚀清洗后流电腐蚀的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 金属 流电 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种减少金属流电腐蚀的方法，刻蚀后的铝金属层在用含氟的清洗剂进行刻蚀残余清洗后，用去离子水漂洗，其特征在于：所述去离子水中鼓入二氧化碳气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子(上海)有限公司，未经安集微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010619942.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可伸缩式SMP射频同轴转接器
- 下一篇：一种具有认识时钟功能的故事机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
