[发明专利]一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法有效
申请号: | 201010620038.0 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102108556A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 杨延德;叶权华;杨文侃 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法,包括如下步骤:硅片在进入清洗槽前,对其表面喷射去离子水,再将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过,最后用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。采用本发明的方法,在清洗硅片时能更好保护硅片表面不被腐蚀,防止药液稀释,减少了药液用量。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 药液 稀释 保护 硅片 表面 方法 | ||
【主权项】:
一种防止药液稀释和保护硅片表面的方法,其特征在于:包括如下步骤:第一步、硅片在进入清洗槽前,对其表面喷射去离子水,用量为10ml~15ml;第二步、将表面有去离子水的硅片从两个滚轮中间的间隙通过,硅片表面的载液量为6~8g;第三步、用刮片刮去即将浸入药液的那部分硅片表面的去离子水。
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