[发明专利]MEMS装置的制作方法有效
| 申请号： | 201010620560.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102556944A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;刘国安 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供MEMS装置的制作方法，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底上形成有第一凹槽，所述第二半导体衬底上形成有第二凹槽，所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应；进行键合工艺，使得所述第一半导体衬底和第二半导体衬底结合，且所述第一凹槽与第二凹槽相连通，形成MEMS空腔；在所述MEMS空腔内填充导热气体；对所述填充有导热气体的MEMS空腔上方的第一半导体衬底进行等离子体刻蚀，形成MEMS活动器件，所述MEMS活动器件与所述第一半导体衬底之间形成有通孔，所述通孔与所述MEMS空腔相连通。本发明形成的通孔的宽度均匀，改善了形成的通孔和MEMS活动器件的形貌，提高了MEMS装置的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS装置的制作方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底和第二半导体衬底，所述第一半导体衬底上形成有第一凹槽，所述第二半导体衬底上形成有第二凹槽，所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置对应；进行键合工艺，使得所述第一半导体衬底和第二半导体衬底结合，且所述第一凹槽与第二凹槽相连通，形成MEMS空腔；在所述MEMS空腔内填充导热气体；对所述填充有导热气体的MEMS空腔上方的第一半导体衬底进行等离子体刻蚀，形成MEMS活动器件，所述MEMS活动器件与所述第一半导体衬底之间形成有通孔，所述通孔与所述MEMS空腔相连通。
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