[发明专利]降低多晶锭杂质比例的方法无效
| 申请号： | 201010620708.9 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102152411A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 贺洁 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料及太阳能电池材料的技术领域，尤其是一种降低多晶锭杂质比例的方法：对多晶锭进行电阻率测试，无明显异常情况下，继续加工；多晶铸锭的杂质主要集中在多晶锭的顶部，将多晶锭最顶部5-50mm的杂质层用工具截除；将已截除下来的多晶锭最顶部5-50mm的杂质层集中处理，进行敲碎、分类、清洗及包装；将杂质层分类集中投炉提纯，将提纯后的多晶锭主最顶部杂质层、底部下边皮及四周边皮的5-50mm处截除、报废，不作为多晶锭投炉循环料使用，将多晶锭剩下的部分敲碎、分选、清洗、包装后作为可循环料部分作为多晶铸锭投炉料使用，得到杂质比例低的多晶锭。本发明通过控制多晶锭中杂质的比例，保证了多晶锭的质量，同时提高了硅料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 多晶 杂质 比例 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶锭杂质比例的方法，其方法步骤为：(一)、对成品的多晶锭进行电阻率测试，多晶锭无明显异常情况下，继续加工；(二)、多晶铸锭的杂质主要集中在多晶锭的顶部，将多晶锭最顶部5‑50mm的杂质层用工具截除；(三)、将已截除下来的多晶锭最顶部5‑50mm的杂质层集中处理，进行敲碎、分类、清洗及包装；(四)、将包装好的杂质层分类集中投炉提纯，将提纯后的多晶锭主最顶部5‑50mm杂质层、底部5‑50mm下边皮及四周5‑50mm边皮截除、报废，不作为多晶锭投炉循环料使用，将多晶锭剩下的部分敲碎、分选、清洗、包装后作为可循环料部分作为多晶铸锭投炉料使用，得到杂质比例低的多晶锭。
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