[发明专利]一种测量硅片扩散长度的表面处理方法

摘要

本发明提供一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，包括如下步骤，将原生硅片在酸液中漂洗，漂洗后用去离子水清洗，去除残留漂洗液后烘干，再利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面沉积氮化硅薄膜，将沉积了氮化硅薄膜的硅片放入烧结炉烧结，最后将烧结完的硅片冷却至室温后放入SemiLab PV2000测试设备的样品台测试，结果SPV8、SPV6信号均明显增强，线性比LR显著增大，完全达到测试设备要求。

主权项

一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步、漂洗：将原生硅片浸入由质量百分比为47％～49％的氢氟酸，65％～68％的硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中漂洗，时间为1min～5min，酸性漂洗液配比为V氢氟酸∶V硝酸∶V去离子水＝(1～1.5)∶(2～4.5)∶(1.7～3)；第二步、清洗：将漂洗后的硅片用去离子水清洗，时间为2min～5min；第三步、烘干：将清洗过的硅片放入烘干炉烘干，时间为8min～10min；第四步、沉积：将烘干后的硅片在等离子体气相化学沉积设备中沉积7min～10min，气源为硅烷和氮气混合物，硅片上氮化硅气体薄膜厚度达到70nm～90nm；第五步、烧结：将沉积了氮化硅气体薄膜的硅片放入烧结炉烧结，烧结温度为230℃～910℃，时间为2min～3min；第六步、测试：将上述物料样片冷却至室温，放入测试设备的样品台测试。