[发明专利]一种纳米氧化钇氧化钪复合氮化硅陶瓷材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010620806.2 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102531623A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈海* | 申请（专利权）人： | 苏州中锆新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/63;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215301 江苏省昆山市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化钪氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化钪3％～7％，氧化钇5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化钪氧化钇作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化钇 氧化 复合 氮化 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米氧化钇氧化钪复合氮化硅陶瓷材料的制备方法所涉及的氧化钪氧化钇作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化钪3％～7％，氧化钇5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化钪粒度3～6微米，氧化钇粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。
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