[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

半导体装置以及其制造方法提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。

主权项

一种包含至少一个存储单元的半导体装置，所述存储单元包括：共同的第一电极；共同的第二电极；以及在所述共同的第一电极与所述共同的第二电极之间的共同材料层，其中，所述共同的第一电极具有包含底层和顶层的叠层结构，其中，所述底层的面积大于所述顶层的面积，以及其中，所述存储单元能存储多个位。