[发明专利]织构化的半导体衬底有效

专利信息
申请号: 201010621452.3 申请日: 2010-09-27
公开(公告)号: CN102162139A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: R·K·巴尔;C·欧康纳 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;H01L21/302;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 采用包括选自非挥发的具有重均分子量为170或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物中的一种或更多的化合物的水溶液织构化半导体。该织构化的半导体可在光伏器件的制造中使用。提供了一种方法,所述方法包括:a)提供半导体衬底;以及b)施加水溶液至该半导体衬底以织构化该半导体衬底,该水溶液包括选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物和一种或更多的碱性化合物。
搜索关键词: 织构化 半导体 衬底
【主权项】:
一种方法,所述方法包括:a)提供半导体衬底;以及b)施加水溶液至该半导体衬底以织构化该半导体衬底,该水溶液包括选自重均分子量为170克/摩尔或更高的且闪点为75℃或更高的烷氧基二醇、其单甲醚和其单甲醚醋酸酯衍生物的一种或更多的化合物和一种或更多的碱性化合物。
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