[发明专利]图像传感器的空穴型超深光二极管及其工艺方法有效

专利信息
申请号: 201010621512.1 申请日: 2010-12-28
公开(公告)号: CN102544031A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 吴扬;郁飞霞 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/103;H01L31/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;蹇炜
地址: 开曼群*** 国省代码: 开曼群岛;KY
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摘要: 一种互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的空穴型超深光二极管及其工艺方法。P型基底接地或连接至负电源。N型外延层生长于P型基底上,且连接至正电源。超深P型光二极管注入区域形成于N型外延层内。使用加热处理以得到平滑且深的掺杂轮廓。
搜索关键词: 图像传感器 空穴 型超深光 二极管 及其 工艺 方法
【主权项】:
一种互补式金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的空穴型超深光二极管,包含:P型基底,接地或连接至负电源;N型外延层,生长于所述P型基底上,所述N型外延层连接至正电源;及超深P型光二极管注入区域,形成于所述N型外延层内。
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