[发明专利]硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201010621534.8 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102148155A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 中居克彦 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 硅晶片，其具有对角线长度为10nm至50nm的BMD，其中存在于距离硅晶片表面的深度为等于或深于50μm的位置上的BMD的密度为等于或大于1×1011/cm3，且{111}面在围绕BMD的所有的面中的比例作为BMD形态为等于或小于0.3。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅晶片，其具有对角线长度为10nm至50nm的BMD，其中存在于距离硅晶片表面的深度为等于或深于50μm的位置上的BMD的密度为等于或大于1×1011/cm3，且{111}面在围绕BMD的所有的面中的比例作为所述BMD的形态为等于或小于0.3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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