[发明专利]一种高产率的激光热处理装置和方法有效
| 申请号： | 201010621833.1 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102157347A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 严利人;周卫;刘朋;窦维治 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种高产率的激光热处理装置和方法。该装置采用了多个工艺处理腔，晶圆片由外部机械手从底部送入处理腔，片托接过晶圆片后，机械手退出。由顶杆带动晶圆片逐渐向上，晶圆片将被逐渐加热。当晶圆片升至处理腔顶部时，可以在那里停留一段时间，等待预热稳定。其后，移动至处理腔上方，并且在移动机构的带动下，等到处理完成后，激光光束移开，至另一个晶圆片已经预热完成的处理腔的上方。对那里的晶圆片进行激光处理。本发明对于晶圆片的激光热处理采用在各工艺腔中轮转进行的方式，使得对激光源的利用效率达到最高，且预升温、激光辐照、降温三个必要的工艺过程是充分并发执行的。提高设备运转效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高产 激光 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种高产率的激光热处理装置，其特征在于，所述高产率的激光热处理装置为由三个工艺处理腔及各自附属的进出片机构组成；在工艺处理腔(8)内，在顶杆(5)顶部为片托(4)，在工艺处理腔(8的外壁上部盘绕加热炉丝(1)，下部盘绕冷却液管(2)，这样在加热炉丝和冷却液管的共同作用下，在工艺处理腔(8)内部造成上热下冷的稳定温度场；在工艺处理腔(8)的底端(7)中心设置顶杆(5)进入到工艺处理腔中的通道孔(6)；所述工艺处理腔(8)的底端固定机械手(10)，机械手(10)执行送片和取片就是从这里进出；所述工艺处理腔(8)的顶端设置透过激光束(9)的透明窗(3)，激光束(9)透过透明窗(3)对晶圆片的表面进行扫描处理；
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010621833.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种能自动上锁的门锁
- 下一篇：一种门锁
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
