[发明专利]一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法有效
| 申请号： | 201010621834.6 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102169810A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 严利人;周卫;刘朋;窦维治 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 空腔 激光 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种使用真空腔的激光处理装置，其特征在于，工艺腔体(2)的顶端为透明窗口(12)，顶杆(6)从工艺腔体(2)底部中心孔(7)插入，顶杆(6)的顶端固定片托(4)，工艺腔体(2)底部侧面连接预真空腔(9)，预真空腔(9)和工艺腔体(2)分别通过预真空管口(8)和真空腔管口(5)接真空泵系统，在预真空腔(9)和工艺腔体(2)之间设置隔离门(10)，工艺腔体(2)设置气体入管(11)；工艺腔体(2)下半部分外侧壁，环绕冷却液管路(3)，用于冷却激光处理后的晶圆片；激光束(1)处于工艺腔体(2)的上方，激光束(1)透过透明窗口(12)对晶圆片表面进行辐照加热处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010621834.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
