[发明专利]一种大功率垂直发光二极管的制造方法

摘要

一种大功率垂直发光二极管的制造方法，涉及半导体光电器件制造技术领域。本发明的步骤为：1)在蓝宝石基板上生长外延片；2)在P型GaN基半导体层上蒸镀反射金属层；3)在N电极区形成电流阻挡层，并在沟槽的侧壁形成保护型钝化层；4)形成隔离沟槽；5)在隔离沟槽内填充光刻胶一；6)在器件表面沉积一层扩散阻挡层并再电镀一层种子层，腐蚀露出扩散阻挡层并在其上涂覆厚光刻胶二；7)在器件上方形成金属支撑层；8)对蓝宝石基板与器件进行剥离，并清洗；9)进行表面粗化，蒸镀N型电极；10)对器件进行切割形成芯粒；11)对蓝宝石基板表面进行研磨和抛光。本发明能提高垂直结构LED的稳定性，提高成品芯粒的良率。

主权项

一种大功率垂直发光二极管的制造方法，它的步骤为：1)在蓝宝石基板(301)上依次生长N型GaN基半导体层(302)、量子阱有源区(303)和P型GaN基半导体层(304)外延片；2)在P型GaN基半导体层(304)上蒸镀反射金属层(305)，在氮气的环境下高温退火，使反射金属层(305)与P型GaN基半导体层(304)之间形成欧姆接触；3)用刻蚀法在器件上表面形成台面，沉积多层介质膜，并通过刻蚀在N电极区形成电流阻挡层(306)，并在沟槽的侧壁形成保护型钝化层(312)；4)用刻蚀法在两个相对的钝化层(312)之间位置形成向下延伸的隔离沟槽，最终刻蚀停止在蓝宝石基板(301)上表面；5)在隔离沟槽内填充光刻胶一(307)；6)在器件表面沉积一层扩散阻挡层并再电镀一层种子层(308)，化学腐蚀露出隔离沟槽部位的扩散阻挡层并在其上涂覆厚光刻胶二(309)；7)在器件上方电镀形成金属支撑层(310)，退火消除内应力；8)将器件翻转180度，对蓝宝石基板(301)与器件进行剥离，并清洗；9)在N型GaN基半导体层(302)表面进行表面粗化，刻蚀出N型电极槽，用电子束蒸发法蒸镀N型电极(311)；10)对器件从隔离沟槽中心进行切割形成芯粒；11)对蓝宝石基板(301)表面进行研磨和抛光，同时对分割好的芯粒进行光电参数的测试和分选。