[发明专利]硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法无效
申请号: | 201010622365.X | 申请日: | 2010-12-30 |
公开(公告)号: | CN102173827A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 魏春城;董抒华;周立娟;田贵山 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;B32B18/00;C04B35/58;C04B35/583;C04B35/622 |
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地址: | 255086 山东省淄博*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种硼化锆-碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与氮化硼流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料和氮化硼陶瓷粉料、搅拌均匀,形成流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到200~1000μm厚的硼化锆流延片和20~100μm厚的氮化硼流延片;2)对硼化锆流延片和氮化硼流延片依照模具大小分别切片;3)将硼化锆片和氮化硼片交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂;4)在氩气气氛下热压烧结,制备出层状超高温陶瓷。本发明制备工艺简单、成本低,组成成分可控,所得材料具有较高的抗高温氧化性,断裂韧性高达18.1MPa·m1/2。 | ||
搜索关键词: | 硼化锆 碳化硅 氮化 层状 超高温 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硼化锆‑碳化硅/氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法,其特征在于采用以下步骤:1)采用流延法分别制备硼化锆流延片与氮化硼流延片:先将粘结剂和增塑剂加入溶剂中搅拌均匀,再分别加入硼化锆陶瓷粉料和氮化硼陶瓷粉料、搅拌均匀,形成流延料,然后流延成型,室温干燥脱模后分别得到200~1000μm厚的硼化锆流延片和20~100μm厚的氮化硼流延片;2)对硼化锆流延片和氮化硼流延片依照模具大小分别切片;3)将硼化锆片和氮化硼片交替叠加放入石墨磨具中,真空脱脂,脱脂时,升温速度为2~3℃/min,升温至600~700℃,保温0.5~1h;4)在氩气气氛下热压烧结,烧结温度为1900~2000℃,保温0.5~2h,压力为20~40MPa,即得层状超高温陶瓷。
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