[发明专利]半导体封装件及其封装方法无效
| 申请号： | 201010622429.6 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569098A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘海 | 申请（专利权）人： | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体封装件及其封装方法，所述半导体封装方法包括以下步骤：提供待封装的晶圆；在晶圆的上表面上形成再分布图案；在晶圆的上表面和其上形成有再分布图案的上表面上形成封装材料；对应于所述再分布图案在形成在晶圆的上表面上的封装材料中形成孔，所述孔暴露所述再分布图案；在所述孔中填充导电填充材料。根据本发明的半导体封装方法能够提供高密度的半导体封装件并且能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装方法，其特征在于所述半导体封装方法包括以下步骤：提供待封装的晶圆；在晶圆的上表面上形成再分布图案；在晶圆的下表面和其上形成有再分布图案的上表面上形成封装材料；对应于所述再分布图案在形成在晶圆的上表面上的封装材料中形成孔，所述孔暴露所述再分布图案；在所述孔中填充导电填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
