[发明专利]一种锑化镓晶片双面抛光方法

摘要

一种锑化镓晶片双面抛光方法，它包括以下步骤：晶片测厚分组；晶片初次清洗；粘片；背面抛光；卸片；粘片及正面抛光；晶片二次清洗；将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3～10)的溶液中用超声波清洗，清洗温度为50～100℃，清洗时间为10～30分钟，而后用纯水冲洗；化学腐蚀：用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10～30)∶(5～15)∶1的比例配制成腐蚀液；检验包装。采用本方法可批量加工锑化镓(100)双面抛光片，方法简单实用，可操作性强，抛光成品率达到90％。同时缓解了锑化镓晶片抛光后氧化的问题。通过该方法抛光所得锑化镓抛光晶片翘曲度不大于20μm，晶面平整度不大于4μm，表面粗糙度达到0.1～0.2μm，晶片总厚度变化不大于5μm，抛光片未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。

主权项

一种锑化镓晶片双面抛光方法，其特征在于：它包括以下步骤：1).晶片测厚分组：将合格晶片以5～10μm的厚度差为分档线分档；2).晶片初次清洗：用纯水、H2O2和NH4OH配制成体积比为(5～40)∶(1～2)∶(1～5)的腐蚀液，加热至20～50℃，把晶片放入腐蚀液中腐蚀5～60秒，腐蚀后用纯水冲洗，并吸干水迹；3).粘片：在抛光盘表面温度在20～60℃时进行粘片。4).背面抛光：用纯水、抛光剂和次氯酸钠以体积比(50～100)∶(1～10)∶(1～10)的比例配制成抛光液；5).卸片；6).粘片及正面抛光；7).晶片二次清洗：将经过双面抛光的晶片放在用清洗液和纯水配制成体积比1∶(3～10)的溶液中用超声波清洗，设置清洗温度为50～100℃，清洗时间为10～30分钟，而后用纯水冲洗；8).化学腐蚀：用CH3COOH、H2O、HF以体积比(10～30)∶(5～15)∶1的比例配制成腐蚀液，将晶片置于腐蚀液中；9).检验包装。