[发明专利]一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010622642.7 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102122086A 公开(公告)日: 2011-07-13
发明(设计)人: 王巍;刘福民;夏君磊;徐宇新;郑国康;黄韬;汪飞琴;李瑞龙 申请(专利权)人: 北京航天时代光电科技有限公司
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02B6/136;G02B6/13
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 安丽
地址: 100091*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法。器件主要由铌酸锂光波导芯片和保偏尾纤组成,其铌酸锂光波导芯片由铌酸锂衬底(1)、表面的条形钛扩散波导区(2)、表面的质子交换区(3)、二氧化硅隔离层(4)及表面的金属电极(5)所组成。调制器的制备方法包括芯片的制备方法和芯片与保偏尾纤的耦合连接方法两部分,给出了芯片的制备方法,主要包括条波导区钛扩散以及在非钛扩散波导区进行退火质子交换等工艺过程。该芯片结构及制备方法能够确保器件同时具有较小的损耗和偏振相关损耗。芯片与尾纤的耦合连接方法保证了器件具有低的偏振串音及其性能指标的温度稳定性。
搜索关键词: 一种 偏振 模铌酸锂 直条 波导 相位 调制器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种双偏振模铌酸锂直条波导相位调制器,主要由铌酸锂光波导芯片和耦合在所述芯片上的保偏尾纤(6)组成,其特征在于:所述的铌酸锂光波导芯片由铌酸锂衬底(1)、表面的条形钛扩散波导区(2)、表面的质子交换区(3)、二氧化硅隔离层(4)及表面的金属电极(5)所组成;铌酸锂衬底(1)采用x切y传或z切y传晶片,条形钛扩散区域(2)和质子交换区(3)位于铌酸锂衬底(1)的表层,二氧化硅隔离层(4)覆盖在铌酸锂衬底(1)的上面,在二氧化硅隔离层(4)上面形成金属电极(5),金属电极(5)与条形钛扩散波导区(2)严格套准,即当铌酸锂衬底(1)采用x切y传晶片时,器件金属电极(5)的正负极位于条形钛扩散波导区(2)的两侧,当铌酸锂衬底(1)采用z切y传晶片时,器件金属电极(5)的正极或负极需覆盖条形钛扩散区(2);保偏尾纤(6)与上述芯片耦合连接,用胶固定在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天时代光电科技有限公司,未经北京航天时代光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010622642.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top