[发明专利]控制空间温度分布的方法和装置有效
| 申请号： | 201010622815.5 | 申请日： | 2005-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102122607A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·本杰明;罗伯特·J·斯蒂格 | 申请（专利权）人： | 蓝姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制工件上的空间温度的方法，其包含：提供保持在恒定温度的基底，所述恒定温度低于所述工件的温度，所述基底具有安装于所述基底顶部上的热绝缘材料层；固持所述工件使其抵靠具有多个空间区的平面支撑件的顶面，所述平面支撑件安装于所述热绝缘材料层的顶部上；用安装于所述平面支撑件的底面上的多个加热器独立地加热所述平面支撑件的每一空间区；以及在蚀刻过程中以至少每秒1℃的速率改变所述平面支撑件的至少一个空间区的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 空间 温度 分布 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在多步骤等离子蚀刻过程中控制工件上的空间温度的方法，其中为具体的蚀刻层而改变晶圆温度，该方法包含：提供保持在恒定温度的基底，所述恒定温度低于所述工件的温度，所述基底具有安装于所述基底顶部上的热绝缘材料层；静电固持所述工件使其抵靠具有多个空间区的平面支撑件的顶面，所述平面支撑件安装于所述热绝缘材料层的顶部上；在反应剂浓度纵贯晶圆变化的情况下等离子蚀刻该晶圆上的层；用安装于所述平面支撑件的底面上的多个加热器独立地加热所述平面支撑件的每一空间区，从而引起径向温度梯度，该梯度补偿局部反应剂浓度；以及在该多步骤蚀刻过程中以至少每秒1℃的速率改变所述平面支撑件的至少一个空间区的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
