[发明专利]芯片保持用胶带、其制造方法及使用它制造半导体装置的方法、及芯片状工件的保持方法有效

专利信息
申请号: 201010623081.2 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102169849A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 村田修平;松村健;水野浩二;浅井文辉 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;C09J7/02;H01L21/00;H01L21/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带,具有在基材上形成有粘合剂层的构成,所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域,所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用,其中,所述粘合剂层中,在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下,所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
搜索关键词: 芯片 保持 胶带 制造 方法 使用 半导体 装置 工件
【主权项】:
一种芯片保持用胶带,具有在基材上形成有粘合剂层的构成,所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域,所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用,其特征在于,所述粘合剂层中,在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下,所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。
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