[发明专利]基板处理装置及真空进片装置有效
| 申请号： | 201010623343.5 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102163570A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冈部星儿;锅山裕树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置及真空进片装置，不增加真空进片装置的内部容积就使其重量大幅地轻型化。真空进片装置(200)具备：能够将内部压力切换为减压环境和大气压环境的基板收存室(202、204)；设置于基板收存室内，临时载置收存的基板的缓冲用载置台(220)；缓冲用载置台由一个或多个缓冲部件(222)构成，缓冲部件构成为将其内部设置为中空并保持气密。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 真空 | ||
【主权项】：
一种真空进片装置，其连接于减压环境和大气压环境之间，调整内部压力而在所述减压环境和所述大气压环境之间搬送基板，所述真空进片装置的特征在于，具备：基板收存室，其能够将内部压力切换为所述减压环境和所述大气压环境；缓冲用载置台，其设置于所述基板收存室内，临时载置收存的基板，所述缓冲用载置台由一个或多个缓冲部件构成，所述缓冲部件构成为：其内部设置为中空并保持气密。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
