[发明专利]高电压半导体元件有效
| 申请号： | 201010623359.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102569397A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 黄学义;黄胤富;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包括：一掺杂源基极区，是P型；一N+源极区，向下延伸入该掺杂源基极区；一P+源极区，邻近该N+源极区，并向下延伸入该掺杂源基极区，且相较于该掺杂源基极区是具有较重掺杂；以及一栅极结构，耦接至该N+源极区，且邻近该P+源极区。
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