[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201010623408.6 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102110574A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 桧森慎司;林大辅;清水昭贵 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/04;H01L21/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器；在所述处理容器内部互相面对，并在相互之间形成处理空间的相对电极和施加电极；以及与所述施加电极连接，向所述处理容器内输出高频电力的高频电源，所述等离子体处理装置的特征在于：所述相对电极和所述施加电极中的至少任一个包括：由金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入所述基材的电介质。
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