[发明专利]晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010624531.X | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102163619A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 郑镛国 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;李娜娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管及其制造方法。所述晶体管包括形成在单晶硅基板的一部分上的硅锗沟道层。硅锗沟道层包括在其内部或上表面部分的Si-H键和/或Ge-H键。PMOS晶体管设置在硅锗沟道层上。氮化硅层设置在单晶硅基板、硅锗沟道层和PMOS晶体管的表面部分上，以施加拉应力。该MOS晶体管表现出良好的操作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，所述晶体管包括：硅锗沟道层，形成在单晶硅基板的一部分上并在硅锗沟道层的内部或上表面部分包括Si‑H键和/或Ge‑H键；p型金属氧化物半导体晶体管，设置在硅锗沟道层上；氮化硅层，设置在单晶硅基板、硅锗沟道层和p型金属氧化物半导体晶体管的表面部分上，氮化硅层能够施加拉应力。
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