[发明专利]用于半导体器件和系统的电流传感器无效

专利信息
申请号: 201010624710.3 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102184921A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: D·A·格德哈;F·希伯特 申请(专利权)人: 英特赛尔美国股份有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H02M3/10;H01L21/82
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张欣
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种可以被用于测量流经直流(DC)到直流转换器或其他器件的半导体基底的电流的电流传感器。电流传感器可以提供在DC到DC转换器的操作期间的连续测量。在一个实施方式中,第一电流传感器可以被用于测量通过高侧晶体管的电流,并且第二电流传感器可以被用于测量通过低侧晶体管的电流。在另一实施方式中,无论高侧晶体管是开启还是关闭、低侧晶体管是开启还是关闭,或者在高侧晶体管或低侧晶体管的转换期间,单个电流传感器可以被用于测量通过半导体基底的电流。
搜索关键词: 用于 半导体器件 系统 电流传感器
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体基底;电流传感器,其包括:顶电极,其电耦合到所述半导体基底的第一表面;以及底电极,其电耦合到与所述半导体基底的第一表面相对的所述半导体基底的第二表面,其中所述电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的电流的测量。
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