[发明专利]用于半导体器件和系统的电流传感器无效
申请号: | 201010624710.3 | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN102184921A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | D·A·格德哈;F·希伯特 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H02M3/10;H01L21/82 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可以被用于测量流经直流(DC)到直流转换器或其他器件的半导体基底的电流的电流传感器。电流传感器可以提供在DC到DC转换器的操作期间的连续测量。在一个实施方式中,第一电流传感器可以被用于测量通过高侧晶体管的电流,并且第二电流传感器可以被用于测量通过低侧晶体管的电流。在另一实施方式中,无论高侧晶体管是开启还是关闭、低侧晶体管是开启还是关闭,或者在高侧晶体管或低侧晶体管的转换期间,单个电流传感器可以被用于测量通过半导体基底的电流。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 系统 电流传感器 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:半导体基底;电流传感器,其包括:顶电极,其电耦合到所述半导体基底的第一表面;以及底电极,其电耦合到与所述半导体基底的第一表面相对的所述半导体基底的第二表面,其中所述电流传感器适合于提供对流经所述半导体基底的电流的测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的