[发明专利]用离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件及方法

摘要

一种离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件及工艺方法，所述方法包括以下步骤：首先设置一引压连接体，以及与引压连接体制作在一起的金属弹性膜片；然后在金属弹性膜片上，应用印刷烧结方法或溅射法制作第一层的电气隔离层；然后在电气隔离层之上，应用离子束溅射沉积方法，制成硅薄膜压阻层；然后在硅薄膜压阻层上用微细刻蚀加工工艺刻蚀应变片物理形状结构；然后用介质胶料作保护层塗覆在压阻材料层之上。本发明采用离子束溅射硅薄膜制作压力应变器件，硅材料以纳米尺度逐层沉积，所形成的薄膜致密性、稳定性好，所制作的压力应变器件灵敏度高、寿命长、稳定性好，同时采用印刷烧结法制作电气隔离层工艺简便、成品率高、适合大批量生产。

主权项

一种用离子束溅射硅薄膜制作的压力应变器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：①，首先设置一引压连接体(1)，以及与引压连接体(1)制作在一起的金属弹性膜片(2)；然后在金属弹性膜片(2)上，用印刷绝缘电介质浆料的方法或用溅射绝缘材料的方法制作第一层的电气隔离层；②，然后在电气隔离层之上，应用离子束溅射淀积方法，制造硅薄膜，制成第二层为硅薄膜压阻层；③，然后在硅薄膜压阻层上用微细刻蚀加工工艺刻蚀应变片物理形状结构，制作用以连接成惠斯登电桥的一个以上的应变电阻；④，然后应用绝缘介质胶覆盖在压阻材料层之上，形成第三层是保护层，所述弹性膜片，电气隔离层、压阻材料层、保护层共同形成硅薄膜应变器件(3)。