[发明专利]薄膜太阳能电池制造方法和激光刻图装置无效
申请号: | 201010625126.X | 申请日: | 2010-12-08 |
公开(公告)号: | CN102169920A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 重信圭吾;本田宽;金谷保彦 | 申请(专利权)人: | 日立比亚机械股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/36;B23K26/42;H01L31/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡晓萍 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的课题是提供能够针对作为引起在薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中的加工不良的因素的玻璃基板的附着杂质、玻璃伤痕、玻璃基板内部气泡等,指定正确的位置、大小、形状等,从而容易并确实地修复任何加工不良的方法。一种薄膜太阳能电池制造方法,其特征在于,在为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离,而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中,检查刻图线并指定作为引起加工不良的因素的玻璃基板的附着杂质、玻璃伤痕或玻璃基板内部气泡等的正确位置、大小、形状等,并在最终加工线形成之后,进行形成避开所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 激光 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池制造方法,其特征在于,在为了将成膜在基板上的薄膜层与相邻结构分离,而照射激光以直线状地实施槽加工的薄膜太阳能电池的激光刻图加工步骤中,检查刻图线,指定引起加工不良的因素的位置和大小,在最终加工线形成之后,进行形成避开所述加工不良区域的新刻图线的修复加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的