[发明专利]掩膜只读存储器无效
| 申请号： | 201019063036.3 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800222A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜只读存储器，制作在掺杂阱中，其包括平行排布的多条位线以及垂直设置在所述多条位线上的多条字线，所述掩膜只读存储器具有多个存储单元，每一所述存储单元具有一导电沟道，所述导电沟道包括在所述掺杂阱中的两相邻位线之间的字线下方的区域，其中，所述导电沟道沿其延伸方向分成第一编码区和第二编码区，所述第一编码区和第二编码区通过是否进行离子注入来各实现一位二进制数据的存储。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 | ||
【主权项】：
一种掩膜只读存储器，制作在掺杂阱中，其包括平行排布的多条位线以及垂直设置在所述多条位线上的多条字线，所述掩膜只读存储器具有多个存储单元，每一所述存储单元具有一导电沟道，所述导电沟道包括在所述掺杂阱中的两相邻位线之间的字线下方的区域，其特征在于，所述导电沟道沿其延伸方向分成第一编码区和第二编码区，所述第一编码区和第二编码区通过是否进行离子注入来各实现一位二进制数据的存储。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
