[发明专利]一种非对称型MOSFET的制造方法无效
| 申请号： | 201019063037.8 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800179A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 董耀旗 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非对称型MOSFET的制造方法，其包括：步骤1，提供基底，在所述基底上形成有栅极结构，在所述栅极结构周围的所述基底中通过轻掺杂漏极离子注入形成低浓度源极/漏极区域，且在所述栅极结构的两侧分别形成源极侧壁间隙和漏极侧壁间隙；步骤2，对所述源极侧壁间隙进行惰性气体离子注入；步骤3，利用湿法刻蚀工艺去除所述源极侧壁间隙；步骤4，在所述栅极结构和所述漏极侧壁间隙周围的所述基底中形成高浓度源极/漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称型MOSFET的制造方法，其特征在于，包括：步骤1，提供基底，在所述基底上形成有栅极结构，在所述栅极结构周围的所述基底中通过轻掺杂漏极离子注入形成低浓度源极/漏极区域，且在所述栅极结构的两侧分别形成源极侧壁间隙和漏极侧壁间隙；步骤2，对所述源极侧壁间隙进行惰性气体离子注入；步骤3，利用湿法刻蚀工艺去除所述源极侧壁间隙；步骤4，在所述栅极结构和所述漏极侧壁间隙周围的所述基底中形成高浓度源极/漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
