[发明专利]一种高导易切削铜硒锂合金材料及其制备方法有效
申请号: | 201019087002.8 | 申请日: | 2010-02-08 |
公开(公告)号: | CN101768682A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 侯仁义;陈家钊;侯立玮;王云户;叶辉成;鲁开福 | 申请(专利权)人: | 四川鑫炬矿业资源开发股份有限公司 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C1/02 |
代理公司: | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人: | 邓继轩 |
地址: | 610065四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高导易切削铜硒锂合金材料及其制备方法,其特点是该合金材料由以下化学成分组成,按重量百分比计为:Se 0.1~0.8,Li 0.02~0.1,Cu余量,并按下述工艺步骤和工艺参数制备:将电炉熔沟熔化后,用木炭覆盖保温,逐步加入工业纯铜99.88~99.10wt%。固态铜熔清后,把铜液温度升到1195~1220℃时。向炉中加入Se元素0.1~0.8%,熔炼50~70分钟,使硒均匀分布于铜液中,再加入Li元素0.02~0.1%,15~25分钟后,在结晶器中于温度1150~1180℃结晶,并冷却铸锭,再将铸锭加热至800~850℃,热挤压或冷拔成各类型材。 | ||
搜索关键词: | 一种 高导易 切削 铜硒锂 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高导易切削铜硒锂合金材料,其特征在于该合金材料由以下化学成分组成,按重量百分比计为:Se 0.1~0.8Li 0.02~0.1Cu 余量
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