[发明专利]一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构

摘要

一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。

主权项

一种二极管触发的可控硅整流式静电释放保护电路结构，包括：位于半导体衬底基片(1)上的两种导电类型的阱区：第一导电类型阱区(2)和第二导电类型阱区(3)；位于第一个第一导电类型阱区(2)内的两个重掺杂区：第一导电类型重掺杂区(8)和第二导电类型重掺杂区(7)；位于第二导电类型阱区(3)内的两个重掺杂区：第一导电类型重掺杂区(6)和第二导电类型重掺杂区(5)；与第一个第一导电类型阱区(2)内的两个重掺杂区表面接触的第一电极；与第二导电类型阱区(3)内的两个重掺杂区表面接触的第二电极；其特征在于，该保护电路结构还包括第二个第一导电类型阱区(4)，所述第二个第一导电类型阱区(4)与第一个第一导电类型阱区(2)相连并将第二导电类型阱区(3)包围或夹在中间，且第二导电类型阱区(3)内的第二导电类型重掺杂区(5)的一部分位于第二导电类型阱区(3)内，另一部分位于第二个第一导电类型阱区(4)内。