[实用新型]一种大功率发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201020002533.0 | 申请日： | 2010-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN201663175U | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 章凯 | 申请（专利权）人： | 章凯 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 325000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种发光二极管装置，具体提供一种大功率发光二极管封装结构。其结构包括缓冲散热装置，所述缓冲散热装置上方通过镜面式铝盖卡固有矩形光学玻璃透镜，下方通过热输出固定铜垫片封装底部，所述缓冲散热装置内部设置有高导铜支架，所述高导铜支架内设置有耐高温尼龙，所述耐高温尼龙内设置有芯片，所述芯片下方通过设置于高导率硅胶内的电极连接耐温接线装置。与现有技术相比，本实用新型的一种大功率发光二极管封装结构，具有设计合理、结构简单、安装方便、性能高、生产快的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率发光二极管封装结构，包括缓冲散热装置，所述缓冲散热装置上方通过镜面式铝盖卡固有矩形光学玻璃透镜，下方通过热输出固定铜垫片封装底部，其特征在于，所述缓冲散热装置内部设置有高导铜支架，所述高导铜支架内设置有耐高温尼龙，所述耐高温尼龙内设置有芯片，所述芯片下方通过设置于高导率硅胶内的电极连接耐温接线装置。
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