[实用新型]交流垂直结构半导体发光二极管无效

专利信息
申请号: 201020004182.7 申请日: 2010-01-20
公开(公告)号: CN201717260U 公开(公告)日: 2011-01-19
发明(设计)人: 彭晖 申请(专利权)人: 金芃;彭晖
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一个交流垂直结构LED芯片包括多个直流垂直结构LED单元芯片,一个直流垂直结构LED单元芯片包括:支持衬底;支持衬底包括绝缘支架和形成在绝缘支架上的多个互相电绝缘的金属膜;半导体外延薄膜键合在金属膜上;每个半导体外延薄膜、相应的金属膜和相应的金属电极构成一个LED单元芯片;在半导体外延薄膜的上方和金属膜的上方的钝化层上的预定的位置上形成窗口;金属电极通过窗口层叠在一个半导体外延薄膜上并向预定的另一金属膜延伸并通过窗口与该金属膜形成电连接,使得两个半导体外延薄膜形成串联。把两串串联的直流垂直结构LED单元芯片反向串联,构成一个交流垂直结构LED芯片。把多串串联的直流垂直结构LED单元芯片连接成整流桥结构,构成一个交流垂直结构LED芯片。
搜索关键词: 交流 垂直 结构 半导体 发光二极管
【主权项】:
交流垂直结构半导体发光二极管,其特征在于,所述的交流垂直结构半导体发光二极管包括多个直流垂直结构半导体发光二极管单元芯片;多个所述的直流垂直结构半导体发光二极管单元芯片形成电连接,使得所述的交流垂直结构半导体发光二极管可以承受交流电。
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