[实用新型]电容负反馈形式的低噪声放大器有效

专利信息
申请号: 201020108611.5 申请日: 2010-02-02
公开(公告)号: CN201611870U 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 官伯然;余益伟;肖艳 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及一种电容负反馈形式的低噪声放大器。现有的低噪声放大器电路结构复杂,存在外界噪声。本实用新型提出了一种结构简易的电容反馈形式的低噪放电路,它能显著平衡放大电路的噪声匹配和功率匹配之间的矛盾,而且不会引入额外的外界噪声。本实用新型是在完成初步设计的低噪声放大电路的基础上,在场效应管的源极与漏极之间添加一个合适大小的电容值,它能使得低噪声放大电路的最佳输入匹配点迫近最佳噪声匹配点。其实质是改变原始放大电路的最佳输入匹配阻抗的实部,让它更加接近放大电路的最佳噪声匹配阻抗的实部。本实用新型电路结构简易、便于实现;平衡低噪声放大器的噪声匹配和输入匹配之间的矛盾。
搜索关键词: 电容 负反馈 形式 低噪声放大器
【主权项】:
电容负反馈形式的低噪声放大器,包括第一偏置电阻R1、第二偏置电阻R2、第三偏置电阻R3、第一保护电阻R4、第二保护电阻R5、反馈电阻R6、稳定电阻R7、第一隔直电容C1、第二隔直电容C5、第一旁路电容C2、第二旁路电容C3、第三旁路电容C8、第四旁路电容C9、匹配电容C4、第一反馈电容C6、第二反馈电容C7、第一匹配电感L1、第二匹配电感L2、第三匹配电感L4、第一射频扼流电感L3、第二射频扼流电感L5、场效应管PHEMT和5V供电电源,其特征在于:第一匹配电感L1的一端与信号输入端连接,另一端与第二匹配电感L2的一端、第一隔直电容C1一端连接;第二匹配电感L2的另一端接地,第一隔直电容C1另一端、第一反馈电容C6的一端、第一射频扼流电感L3的一端与场效应管PHEMT的栅极连接;第一射频扼流电感L3的另一端、第一旁路电容C2的一端与第二保护电阻R5的一端连接,第一旁路电容C2的另一端接地;第二保护电阻R5的另一端、第二旁路电容C3的一端与第一保护电阻R4的一端连接,第二旁路电容C3的另一端接地;第一保护电阻R4的另一端、第二偏置电阻R2的一端与第三偏置电阻R3的一端连接,第三偏置电阻R3的另一端接地;第一反馈电容C6的另一端与反馈电阻R6的一端连接,反馈电阻R6的另一端、稳定电阻R7的一端、第二射频扼流电感L5的一端、第二反馈电容C7的一端与场效应管PHEMT的漏极连接,第二反馈电容C7的另一端与场效应管PHEMT的源极连接;第二射频扼流电感L5的另一端、第二偏置电阻R2的另一端、第一偏置电阻R1的一端与第三旁路电容C8的一端连接,第三旁路电容C8的另一端接地;第一偏置电阻R1的另一端、第四旁路电容C9的一端与5V供电电源的连接,第四旁路电容C9的另一端接地;稳定电阻R7的另一端与第二隔直电容C5的一端连接,第二隔直电容C5的另一端、匹配电容C4的一端与第三匹配电感L4的一端连接,匹配电容C4的另一端接地,第三匹配电感L4的另一端与信号输出端连接。
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