[实用新型]发光二极管改良结构有效

专利信息
申请号: 201020110894.7 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN201655839U 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 陈东安;吴东璟;张智超;陈松升;李军明;蔡易祐 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型公开了一种发光二极管改良结构,包括承座、第一、二导电架、发光芯片、绝缘胶以及稳压二极管。承座具有基底和反射杯,基底的内底面设有第一、二凹部;第一、二导电架分别设置于第一、二凹部内;绝缘胶设置于第二凹部内的内底面上;发光芯片设置于第一导电架上,且发光芯片的两电极分别电性连接于第一、二导电架;稳压二极管设置于绝缘胶上,且稳压二极管的两电极分别电性连接于第一、二导电架。藉以,使稳压二极管等同被埋入于承座的第二凹部内,而既能利用稳压二极管来保护发光芯片免于受到静电放电影响,又能将光被稳压二极管吸收掉的比例给降至最低。
搜索关键词: 发光二极管 改良 结构
【主权项】:
一种发光二极管改良结构,其特征在于,包括:一承座,具有一基底和一形成于该基底上的反射杯,该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部;一第一导电架,设置于该第一凹部内;一第二导电架,设置于该第二凹部内;一绝缘胶,设置于该第二凹部内的内底面上;一发光芯片,设置于该第一导电架上,该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起;以及一稳压二极管,设置于该绝缘胶上,该稳压二极管的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起。
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